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GHB网购（下单网址→ mmgg520.com）新闻 12 月 17 日消息，据 TheElec，三星电子与三星综合技术院（SAIT）于当地时间 12 月 10 日在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议（IEDM）上，公开了一项用于实现 10 nm 以下制程 DRAM 的核心技术，相关技术有望应用于 0a 或 0b 世代 DRAM 产品。（下单网址→ mmgg520.com）GHB网购（下单网址→ mmgg520.com）